买卖IC网 >> 产品目录43267 >> IPD110N12N3 G MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 datasheet 分离式半导体产品
型号：

IPD110N12N3 G

库存数量：3,486
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IPD110N12N3 G PDF下载
产品目录绘图 Mosfets TO-252-3-11, TO-252-3
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 11 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4310pF @ 60V
功率 - 最大 136W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 剪切带 (CT)
其它名称 IPD110N12N3 GCT
相关资料
属性
链接
代理商 IPD110N12N3 G
IPD110N12N3G
IPD110N12N3GATMA1
IPD11N03L
IPD11N03LBG
IPD122N10N3
供应商
公司名
电话
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-83225692 唐先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129491934(手机优先微信同号) 何芝
深圳市华芯源电子有限公司 15019275130 张小姐
深圳市柏新电子科技有限公司 0755-88377780 林小姐//方先生
深圳市佳斯泰科技有限公司 13612973190 廖先生
深圳市晶美隆科技有限公司 0755-82519391 李林
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-83225692 唐先生
  • IPD110N12N3 G 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 2.796 2.796
    10 2.3916 23.916
    25 2.15232 53.808
    100 1.953 195.3
    250 1.753776 438.444
    500 1.514616 757.308
    1,000 1.275456 1275.456